- 產(chǎn)品型號:IXTH1N200P3HV
- 制 造 商:IXYS
- 出廠(chǎng)封裝:TO-247-3
- 功能類(lèi)別:FET - 單
- 功能描述:MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
IXTH1N200P3HV >>> IXYS芯片,深圳市諾森半導電子有限公司提供IXYS公司IXTH1N200P3HV報價(jià)、現貨供應、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購IXTH1N200P3HV?不再猶豫,找我們沒(méi)錯!對有長(cháng)期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性?xún)r(jià)比最高的現貨供應服務(wù)!
IXYS公司完整型號: IXTH1N200P3HV
制造廠(chǎng)家名稱(chēng): IXYS
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
系列: -
FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能: 標準
漏源極電壓(Vdss): 2000V(2kV)
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時(shí)): 1A(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 40 歐姆 @ 500mA,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 23.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 646pF @ 25V
功率 - 最大值: 125W
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應商器件封裝: TO-247HV