- 產(chǎn)品型號:VMM650-01F
- 制 造 商:IXYS
- 出廠(chǎng)封裝:Y3-Li
- 功能類(lèi)別:場(chǎng)效應管模塊
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
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IXYS公司完整型號:VMM650-01F
制造廠(chǎng)家名稱(chēng):IXYS
描述:MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
系列:HiPerFET?
FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):100V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時(shí)):680A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.2 毫歐 @ 500A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 30mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1440nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安裝類(lèi)型:底座安裝
封裝/外殼:Y3-Li
供應商器件封裝:Y3-Li