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BSC750N10ND G
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSC750N10ND G

制造廠(chǎng)家名稱(chēng):Infineon Technologies

描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON

系列:OptiMOS?

FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時(shí)):13A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):75 毫歐 @ 13A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 12μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):720pF @ 50V

功率 - 最大值:26W

安裝類(lèi)型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)


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