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IPD60R380P6ATMA1
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Infineon英飛凌公司完整型號: IPD60R380P6ATMA1

制造廠(chǎng)家名稱(chēng): Infineon Technologies

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 600V DPAK-3

系列: CoolMOS P6

FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 600V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時(shí)): 10.6A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 380 毫歐 @ 3.8A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 320μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 19nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 877pF @ 100V

功率 - 最大值: 83W

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線(xiàn)+接片),SC-63

供應商器件封裝: PG-TO252-3


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