- 產(chǎn)品型號:PSMN6R3-120ESQ
- 制 造 商:Nexperia(安世半導體)
- 出廠(chǎng)封裝:TO-262-3,長(cháng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA
- 功能類(lèi)別:FET,MOSFET - 單-晶體管
- 功能描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
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Nexperia公司器件型號:PSMN6R3-120ESQ
制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導體)-2017年從NXP分離
功能總體描述:MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
所屬類(lèi)別:FET,MOSFET - 單-晶體管
系列:-
零件狀態(tài):在售
FET 類(lèi)型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):120V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時(shí)):70A(Tc)
驅動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):207.1nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):11384pF @ 60V
Vgs(最大值):±20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):405W(Tc)
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):6.7 毫歐 @ 25A,10V
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
Nexperia公司標準封裝:I2PAK
封裝形式:TO-262-3,長(cháng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA
PSMN6R3-120ESQ的標準包裝數量(SPQ):- PCS