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RE1J002YNTCL
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ROHM羅姆半導體完整型號: RE1J002YNTCL

制造廠(chǎng)家名稱(chēng): Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

系列: -

FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,0.9V 驅動(dòng)

漏源極電壓(Vdss): 50V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時(shí)): 200mA(Ta)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 2.2 歐姆 @ 200mA,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 800mV @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): -

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 26pF @ 10V

功率 - 最大值: 150mW

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

封裝/外殼: 3-SMD,扁平引線(xiàn)

供應商器件封裝: EMT3F


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