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RQ1C075UNTR
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ROHM羅姆半導體完整型號: RQ1C075UNTR

制造廠(chǎng)家名稱(chēng): Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

系列: -

FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,1.5V 驅動(dòng)

漏源極電壓(Vdss): 20V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時(shí)): 7.5A(Ta)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 16 毫歐 @ 7.5A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 18nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 1400pF @ 10V

功率 - 最大值: 550mW

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線(xiàn)

供應商器件封裝: TSMT8


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