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RQ3E100BNTB
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ROHM羅姆半導體完整型號: RQ3E100BNTB

制造廠(chǎng)家名稱(chēng): Rohm Semiconductor

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

系列: -

FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時(shí)): 10A(Ta)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 10.4 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 22nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 1100pF @ 15V

功率 - 最大值: 2W

安裝類(lèi)型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerVDFN

供應商器件封裝: 8-HSMT(3.2x3)


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