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STI18N65M2
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ST意法半導體公司完整型號: STI18N65M2

制造廠(chǎng)家名稱(chēng): STMicroelectronics

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

系列: MDmesh M2

FET 類(lèi)型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓(Vdss): 650V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時(shí)): 12A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 330 毫歐 @ 6A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 20nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 770pF @ 100V

功率 - 最大值: 110W

安裝類(lèi)型: 通孔

封裝/外殼: TO-262-3,長(cháng)引線(xiàn),I2Pak,TO-262AA

供應商器件封裝: I2PAK


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