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GT10G131(TE12L,Q)
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東芝半導體公司完整型號:GT10G131(TE12L,Q)

制造廠(chǎng)家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage

描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC

系列:-

IGBT 類(lèi)型:-

電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):-

Current - Collector Pulsed (Icm):200A

不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.3V @ 4V, 200A

功率 - 最大值:1W

Switching Energy:-

輸入類(lèi)型:標準

Gate Charge:-

25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:3.1μs/2μs

Test Condition:-

反向恢復時(shí)間 (trr):-

封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)

安裝類(lèi)型:表面貼裝

供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)


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