- 產(chǎn)品型號:SI4834BDY-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導體)
- 出廠(chǎng)封裝:8-SO
- 功能類(lèi)別:場(chǎng)效應管陣列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
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Vishay威世半導體原廠(chǎng)型號:SI4834BDY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET
FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時(shí)):5.7A
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):22 毫歐 @ 7.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):11nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.1W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SO